存储器芯片市场风云迭起

目前来看，存储器中的DRAM和NAND对整个半导体市场具有重大影响，占全球半导体行业的约25%。而在PC、移动和企业（数据中心/服务器）方面约占所有DRAM和NAND需求的80%。它们总共加起来是一个价值超过1000亿美元的行业，受供需驱动影响，周期性也很强。总体而言，存储器行业预计将继续增长，以满足消费电子、超大型数据中心、人工智能、物联网、自主等方面的需求。

2020年DRAM市场规模约659亿美元，预计将于2025年达到925亿美元。NAND Flash于2020年市场规模为534.1亿美元，预计2025年将达到931.9亿美元规模。

数据密度、带宽能力和电源管理方面的持续改进仍然是内存和存储行业的优先选择。这些优先选择将结合2.5D和3D支持的新计算架构和模式，来实现更先进的系统芯片（SoC）和封装解决方案。

随着DRAM扩展的物理极限逼近，出现了颠覆性技术转型的机会。虽然目前已经探索了相当多的取代DRAM的各种类型的内存技术，但还没有一种技术能够在速度、可靠性和可扩展性方面与DRAM竞争。如基本垄断全球三大厂家内存芯片已进入第四阶段1anm（10nm）的研发，而国内长鑫存储目前还处于1Xnm（16nm-19nm）阶段，与龙头大厂还是有一定的差距。

NAND闪存体系结构已经迁移到3D，FLASH每一个连续的新一代3D NAND驱动器都会通过添加更多的存储层来增加位的面积密度，降低每个新3D节点提供的越来越便宜的存储器能力。与DRAM类似，随着行业发展到数百甚至数千层，工艺变得越来越复杂，单片3D NAND解决方案还需要巨大的未来创新。如长江存储的128层堆叠的NAND闪存，虽在容量、位密度和I/O速度方面实现了行业领先的新标准，但是相对于过三星、美光来说还是需要继续加快脚步实现更高的性能。